硅紅外濾光片旨在降低直拉硅單晶氧含量，提高硅紅外濾光片透過率的硅片熱處理工藝。其特征是將硅片在400-1000℃溫度間的四段溫區(qū)逐步升溫并保溫適當時間并在硅片冷卻至850℃以下時取出，處理后的直拉硅單晶片在9um處的透過率接近或達到區(qū)熔硅單晶的水平，用熱處理后的廉價直拉硅單晶片制造的紅外濾光片，可滿足紅外儀器設備所需紅外濾光片的要求，大大降低了濾光片的成本。

　　硅紅外濾光片的熱處理工藝，包括硅片的切、磨、拋光和腐蝕清洗及熱處理用石英爐管的HCl處理，它的特征在于：1.在爐溫低于400℃時，裝入硅片，2.將爐溫升至400-550℃，保溫10-30小時;然后升溫至700-800℃，保溫10-30小時，再升溫至800-900℃，保溫2-5小時，最后升溫至900-1000℃，保溫2-5小時，3.在爐溫降至850℃以下時，取出硅片。